TN492
为了实现可变参考电压的电路结构,且降低该参考电压的温度系数,采用CSMC 0.6 μm的CMOS N阱工艺模型,设计了一种新型高精度可调节CMOS带隙基准电压源电路.该电路在传统带隙基准的基础上,增加了一级运算放大器,并详细分析了合理的参数取值,可以通过调整电阻值来得到任意输出参考电压.设计结果表明,在-55℃～125℃温度范围内,该电路不仅具有良好的温度特性,对工艺也不敏感.
侯少华,宋强. 高精度可调节CMOS带隙基准电路设计[J]. 科学技术与工程, 2008, (9): 2443-2446.HOU Shao-hua, SONG Qiang. Design of Precise and Adjustable CMOS Bandgap Voltage Reference Circuit[J]. Science Technology and Engineering,2008,(9):2443-2446.
