设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护.采用上华0.5 μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V.该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10 μs),过温保护性能良好.
季轻舟,耿增建. 高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路[J]. 科学技术与工程, 2008, (21): .JI Qing-zhou, GENG Zeng-jian. Design of High Performance CMOS Bandgap Reference with over Temperature Protection Circuit[J]. Science Technology and Engineering,2008,(21).
