一种单电子晶体管的模拟新方法
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New Simulation Method of Single Electron Transistor
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    基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET-CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义.

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引用本文

陈亚琦,谭乔来. 一种单电子晶体管的模拟新方法[J]. 科学技术与工程, 2008, (16): .
CHEN Ya-qi, TAN Qiao-lai. New Simulation Method of Single Electron Transistor[J]. Science Technology and Engineering,2008,(16).

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