P型杂质Ga在SiO2—Si内界面分凝规律研究
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TN304.21 TN305.3

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国家自然科学基金(69976019)和山东省自然科学基金(Y99G01)资助


Investigation of the Segregation Rule of P-type Dopant Ga at SiO2/Si Interface
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    摘要:

    采用开管方式和SiO2/Si系统,实现了P型杂质Ga在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Gar 杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ga在SiO2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。

    Abstract:

    Controllable dopant of P-type impurity Ga in Si can be real-ized by open-tube mode and SiO_2/Si system. The segregation effect of silicondoped Ga in the process of the second oxygenation was systemically investigat-ed by SIMS and SRP. The rules of segregation of Ga and the equations of thelowest concentration value of Ga with time at near SiO_2-Si interface are ob-tained for the first time. It has settled the base to completely understand thediffusion of Ga and create the mode of open-tube Ca-diffusion.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

裴素华 修显武 等. P型杂质Ga在SiO2—Si内界面分凝规律研究[J]. 科学技术与工程, 2003, (1): 71-74.
PEI Suhua, XIU Xianwu, SUN Haibo, et al. Investigation of the Segregation Rule of P-type Dopant Ga at SiO2/Si Interface[J]. Science Technology and Engineering,2003,(1):71-74.

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  • 最后修改日期:2002-09-09
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