开管扩Ga模型的初步建立
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TN304.2 TN305.4

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国家自然科学基金(69976019),山东省自然科学基金(Y99G01)


Initinal Establishment of the Module of Open-tube Ga Diffusion
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    摘要:

    依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO2膜的吸收输运和SiO2-Si内界面上的分凝效应两的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO2/Si系下开管扩散Ga的模型。

    Abstract:

    Relying on the analytical means of SIMS, SRP and AFM, theaccordance of the absorption transport of P-type impurity Gallium in SiO_2 thinfilm and the segregation effect in the intemal interface of SiO_2/Si system waselucidated. The work of controllable doping of Ga in silicon substrate is fin-ished. Finally the surface effect and bulk effect in SiO_2 thin film, and initiallyset up the module of open-tube Ga diffusion in SiO_2/Si interface are revealed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

裴素华 孙海波 等. 开管扩Ga模型的初步建立[J]. 科学技术与工程, 2003, (1): 61-64.
PEI Suhua, SUN Haibo, XIU Xianwu, et al. Initinal Establishment of the Module of Open-tube Ga Diffusion[J]. Science Technology and Engineering,2003,(1):61-64.

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  • 最后修改日期:2002-09-23
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