直径200mm太阳能CZSi复合式热场的数值模拟
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TM914.41

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国家自然科学基金资助项目(69876006)和河北省重大科技攻关项目(00213502D)


Study on Numerical Simulation of Complex Hot Zone in Diameter 200 mm CZSi Solar Cell Crystal Growth
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    摘要:

    用直径18英寸复合式热系统生长了直径200mm的太阳能CZSi单晶,计算机数值模拟分析表明,该热系统能降低熔硅纵向温度梯度,从而有效抑制熔体的热对流,并增加了熔硅与坩埚的边界层厚度,减少了SiO的熔入,降低了硅中氧、碳的含量,数值模拟对热场温度梯度的分析与实验结果较好地吻合。

    Abstract:

    the diameter 200 mm CZSi of solar cell was grown in 18 inchmulti-heat system. The simulation result based on computer shows that thissystem can decreases the temperature grads of melt silicon in vertical directionand effectively restrains the thermal convection of melt silicon. Furthermore,the system can also increases the thickness between melt silicon and crucible,decreasing the penetration of SiO, the concentration of oxygen and carbon insilicon can be reduced. The simulation result consists with the experiment re-sult well.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

任丙彦 王猛 等. 直径200mm太阳能CZSi复合式热场的数值模拟[J]. 科学技术与工程, 2003, (1): 58-61.
REN Bingyan, WANG Meng, LIU Caichi, et al. Study on Numerical Simulation of Complex Hot Zone in Diameter 200 mm CZSi Solar Cell Crystal Growth[J]. Science Technology and Engineering,2003,(1):58-61.

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  • 最后修改日期:2002-09-25
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