等离子电弧蒸发及后续氮化制备AlN纳米线
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TB383 TB44

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国家自然科学基金(59971055,50071059)资助


Synthesis of AlN Nanowires by Nitrogen Plasma-molten Al Reaction and Heat Treatment in Nitrogen Atmosphere
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    采用两步熔铝氮化法成功地制备出了 AlN 纳米线。首先,用含氮等离子体电弧法制得 Al AIN 混合纳米粉。然后,再将 Al AlN 混合纳米粉在750~850℃下保温1h 进行氮化处理,制备出含有 AlN 纳米线的纯 AlN 纳米材料。经 XRD、TEM和 HR—TEM 的测试表明:AIN 纳米线呈表面平滑的棒状形貌,其直径10~50mm,长度为500 nm~500μm。同时探讨了 AlN纳米线的生长机制。

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引用本文

马洪波 丛洪涛. 等离子电弧蒸发及后续氮化制备AlN纳米线[J]. 科学技术与工程, 2002, (6): 47-49.
MA Hongbo CONG Hongtao. Synthesis of AlN Nanowires by Nitrogen Plasma-molten Al Reaction and Heat Treatment in Nitrogen Atmosphere[J]. Science Technology and Engineering,2002,(6):47-49.

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  • 最后修改日期:2002-07-31
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