硅雪崩光电探测器加速工作寿命试验应用研究
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作者:
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西南技术物理研究所,西南技术物理研究所,西南技术物理研究所,西南技术物理研究所,西南技术物理研究所,驻所军事代表室

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通讯作者:

中图分类号:

TN36

基金项目:

国防科技工业技术基础科研项目


The Application Research of Accelerated Working Life Test for Silicon Avalanceh Photoelecrric Detector
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Southwest Institute of Technical Physics,Southwest Institute of Technical Physics,Southwest Institute of Technical Physics,Southwest Institute of Technical Physics,Military Representative Office in NO.209 Institute

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    摘要:

    为了通过加速寿命试验评估硅雪崩光电探测器的工作寿命,通过FMEA分析和摸底试验,确定了硅雪崩光电探测器的主要失效模式、敏感应力和极限应力,设计并实施了加速工作寿命试验,得到了与理论分析和摸底试验相同的结果:温度应力是影响硅雪崩光电探测器工作寿命的主要应力,最高工作温度应力极限是130℃,对温度应力敏感的参数是暗电流和前放静态输出电压,验证了加速工作寿命试验方案的合理性和可行性。

    Abstract:

    In order to evaluate the working life of silicon avalanche photoelectric detector through accelerated life test(ALT),failure mode effect analysis(FMEA) and pretest are implemented to get the main failure modes ,sensitive stress and stress limits of silicon avalanche photoelectric detector. Accelerated working life test is designed and implemented. The result, in accordance with theoretical analysis and pretest, shows that: temperature stress is the sensitive stress affecting the working life of silicon avalanche photoelectric detector;130℃ is the temperature stress limits; dark current and static output of preamplifier is the sensitive parameter to temperature stress. The accelerated life test program is proved to be reasonable and feasible.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

周小燕,何伟,梁晨宇,等. 硅雪崩光电探测器加速工作寿命试验应用研究[J]. 科学技术与工程, 2016, 16(16): .
ZHOU Xiaoyan, HE Wei, LIANG Chenyu, et al. The Application Research of Accelerated Working Life Test for Silicon Avalanceh Photoelecrric Detector[J]. Science Technology and Engineering,2016,16(16).

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  • 收稿日期:2016-01-08
  • 最后修改日期:2016-02-29
  • 录用日期:2016-03-18
  • 在线发布日期: 2016-06-15
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