多孔硅整流特性研究
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O472+.4

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Study on Rectification Character of Porous Silicon
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    摘要:

    从多孔硅的最基本的器件结构——金属/多孔硅/硅入手,研究这种结构的电学性质:整流特性,对进一步理解和提高多孔硅的电致发光和多孔硅在其它一些电学方面的应用有着积极的意义。用电化学腐蚀法制得多孔硅,对多孔硅电化学氧化和氮气气氛下退火,研究这两种后处理方式对多孔硅整流特性的影响。多孔硅经高浓度硫酸电化学氧化后,整流特性消失;多孔硅经氮气气氛下退火后,整流特性增强;分析了相应的机理。

    Abstract:

    Studying electrical nature of a basic device structure- metal/porous silicon/silicon has active meaning on understanding and improving porous silicon’s electroluminescence and porous silicon’s other application in electricity. Porous silicon is made by electrochemical etching. Porous silicon is electrochemical oxidized and annealed in N2. The effect of post treatment of porous silicon on porous silicon’s rectification is studied. After electrochemical oxidizing in concentrated sulfuric acid, the rectification character of porous silicon disappear; after annealing in N2, the rectification character of porous silicon increased. The mechanism is analyzed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

彭爱华. 多孔硅整流特性研究[J]. 科学技术与工程, 2009, 9(21): .
peng ai hua. Study on Rectification Character of Porous Silicon[J]. Science Technology and Engineering,2009,9(21).

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  • 收稿日期:2009-07-17
  • 最后修改日期:2009-08-03
  • 录用日期:2009-07-30
  • 在线发布日期: 2009-11-02
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